CSD86311W1723 - MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
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Breve descripción
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1018300 Pieces
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Especificaciones para CSD86311W1723
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : CSD86311W1723
Fabricante : Texas Instruments
Descripción : MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Serie : NexFET™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 2A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 585pF @ 12.5V
Potencia - max : 1.5W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 12-UFBGA, DSBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 12-DSBGA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para CSD86311W1723
Hojas de datos : CSD86311W1723.pdf
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