TK160F10N1L,LQ - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número de pieza del fabricante

TK160F10N1L,LQ

Número interno de parte

AX-TK160F10N1L,LQ

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

348255 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.80562~~

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Especificaciones para TK160F10N1L,LQ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TK160F10N1L,LQ

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Serie : U-MOSVIII-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 160A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 10100pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 375W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220SM(W)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TK160F10N1L,LQ

Hojas de datos : TK160F10N1L,LQ.pdf

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