TK160F10N1L,LQ - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
348255 Pieces
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Especificaciones para TK160F10N1L,LQ
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TK160F10N1L,LQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
U-MOSVIII-H
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
160A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
122nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
10100pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
175°C
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-220SM(W)
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TK160F10N1L,LQ
Hojas de datos :
TK160F10N1L,LQ.pdf
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