FF11MR12W1M1B11BOMA1 - MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
4560 Pieces
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Especificaciones para FF11MR12W1M1B11BOMA1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FF11MR12W1M1B11BOMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Serie : CoolSiC™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.55V @ 40mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7950pF @ 800V
Potencia - max : -
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete / Caja : Module
Paquete del dispositivo del proveedor : Module
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : FF11MR , FF11MR12W1
Documentos para FF11MR12W1M1B11BOMA1
Hojas de datos : FF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
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