TPH3207WS - GANFET N-CH 650V 50A TO247
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-TPH3207WS
Fabricante
Breve descripción
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
21736 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para TPH3207WS
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TPH3207WS
Fabricante :
Transphorm
Descripción :
GANFET N-CH 650V 50A TO247
Serie :
-
Estado de la pieza :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.65V @ 700µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (Max) :
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2197pF @ 400V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
178W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-247-3
Paquete / Caja :
TO-247-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TPH3207WS
Hojas de datos :
TPH3207WS.pdf
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