SI4966DY-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
27811 Pieces
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Especificaciones para SI4966DY-T1-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI4966DY-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Potencia - max : 2W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI4966DY-T1-GE3
Hojas de datos : SI4966DY-T1-GE3.pdf
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