STH180N10F3-2 - MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK

Número de pieza del fabricante

STH180N10F3-2

Número interno de parte

AX-STH180N10F3-2

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

131845 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.1279~~

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Especificaciones para STH180N10F3-2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STH180N10F3-2

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK

Serie : STripFET™ III

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 180A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 114.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6665pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 315W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : H2Pak-2

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para STH180N10F3-2

Hojas de datos : STH180N10F3-2.pdf

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