IRF8306MTR1PBF - MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

Número de pieza del fabricante

IRF8306MTR1PBF

Número interno de parte

AX-IRF8306MTR1PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

15320 Pieces

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Especificaciones para IRF8306MTR1PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRF8306MTR1PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 23A (Ta), 140A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4110pF @ 15V

Característica FET : Schottky Diode (Body)

Disipación de potencia (max) : 2.1W (Ta), 75W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DIRECTFET™ MX

Paquete / Caja : DirectFET™ Isometric MX

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRF8306MTR1PBF

Hojas de datos : IRF8306MTR1PBF.pdf

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