FDMS3660AS - MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN

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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
692125 Pieces
Precio de referencia
USD 0.40536
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Especificaciones para FDMS3660AS

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FDMS3660AS
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Serie : PowerTrench®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2230pF @ 15V
Potencia - max : 1W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor : Power56
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : FDMS3660AS.pdf

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