HAT2165H-EL-E - MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

Número de pieza del fabricante

HAT2165H-EL-E

Número interno de parte

AX-HAT2165H-EL-E

Fabricante

Renesas Electronics America

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

367030 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.7644~~

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Especificaciones para HAT2165H-EL-E

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : HAT2165H-EL-E

Fabricante : Renesas Electronics America

Descripción : MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 55A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5180pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 30W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : LFPAK

Paquete / Caja : SC-100, SOT-669

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para HAT2165H-EL-E

Hojas de datos : HAT2165H-EL-E.pdf

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