SISF00DN-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
670410 Pieces
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Especificaciones para SISF00DN-T1-GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SISF00DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
53nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2700pF @ 15V
Potencia - max :
69.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
PowerPAK® 1212-8SCD
Paquete del dispositivo del proveedor :
PowerPAK® 1212-8SCD
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SISF00DN-T1-GE3
Hojas de datos :
SISF00DN-T1-GE3.pdf
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