SISF00DN-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
670410 Pieces
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Especificaciones para SISF00DN-T1-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SISF00DN-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Serie : TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2700pF @ 15V
Potencia - max : 69.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8SCD
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8SCD
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SISF00DN-T1-GE3
Hojas de datos : SISF00DN-T1-GE3.pdf
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