NVD5117PLT4G-VF01 - MOSFET P-CH 60V 61A DPAK

Número de pieza del fabricante

NVD5117PLT4G-VF01

Número interno de parte

AX-NVD5117PLT4G-VF01

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET P-CH 60V 61A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

364450 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para NVD5117PLT4G-VF01

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVD5117PLT4G-VF01

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET P-CH 60V 61A DPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Ta), 61A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 85nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 4800pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 4.1W (Ta), 118W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NVD51 , NVD5117P

Documentos para NVD5117PLT4G-VF01

Hojas de datos : NVD5117PLT4G-VF01.pdf

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