SIHW33N60E-GE3 - MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Número de pieza del fabricante

SIHW33N60E-GE3

Número interno de parte

AX-SIHW33N60E-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

63275 Pieces

Precio de referencia

~~USD 4.434~~

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Especificaciones para SIHW33N60E-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIHW33N60E-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 33A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3508pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 278W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247AD

Paquete / Caja : TO-3P-3 Full Pack

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SIHW , SIHW33N

Documentos para SIHW33N60E-GE3

Hojas de datos : SIHW33N60E-GE3.pdf

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WF135242WP30238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 20KV SCREW.
GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
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BZ114096WZ10238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 40KV AXIAL.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.
BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 50PF 30KV AXIAL.
WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
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