BSO211PNTMA1 - MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-BSO211PNTMA1
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
25823 Pieces
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Especificaciones para BSO211PNTMA1
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : BSO211PNTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
Serie : OptiMOS™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 23.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 920pF @ 15V
Potencia - max : 2W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor : P-DSO-8
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para BSO211PNTMA1
Hojas de datos : BSO211PNTMA1.pdf
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