STH260N6F6-6 - MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-STH260N6F6-6
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
183020 Pieces
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Especificaciones para STH260N6F6-6
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
STH260N6F6-6
Fabricante :
STMicroelectronics
Descripción :
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
Serie :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
183nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
11800pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
H2PAK-6
Paquete / Caja :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para STH260N6F6-6
Hojas de datos :
STH260N6F6-6.pdf
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