RUC002N05HZGT116 - 1.2V DRIVE NCH MOSFET

Número de pieza del fabricante

RUC002N05HZGT116

Número interno de parte

AX-RUC002N05HZGT116

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

1.2V DRIVE NCH MOSFET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

13553825 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.0207~~

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Especificaciones para RUC002N05HZGT116

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RUC002N05HZGT116

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : 1.2V DRIVE NCH MOSFET

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 50V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 200mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 25pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 350mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SST3

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : RUC00 , RUC002N0

Documentos para RUC002N05HZGT116

Hojas de datos : RUC002N05HZGT116.pdf

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