ESH3B V6G - DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-ESH3B V6G
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
3608075 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para ESH3B V6G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : ESH3B V6G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : -
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 20ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitancia a Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : DO-214AB, SMC
Paquete del dispositivo del proveedor : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para ESH3B V6G
Hojas de datos : ESH3B V6G.pdf
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