TK2P60D(TE16L1,NQ) - MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1163775 Pieces
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Especificaciones para TK2P60D(TE16L1,NQ)
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
Serie :
π-MOSVII
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
280pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
PW-MOLD
Paquete / Caja :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TK2P60D(TE16L1,NQ)
Hojas de datos :
TK2P60D(TE16L1,NQ).pdf
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