NVMFS6B25NLWFT1G - MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Número de pieza del fabricante

NVMFS6B25NLWFT1G

Número interno de parte

AX-NVMFS6B25NLWFT1G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

21546 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para NVMFS6B25NLWFT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NVMFS6B25NLWFT1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A (Ta), 33A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 905pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.6W (Ta), 62W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN, 5 Leads

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para NVMFS6B25NLWFT1G

Hojas de datos : NVMFS6B25NLWFT1G.pdf

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