NCP81075DR2G - HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-NCP81075DR2G
Fabricante
Breve descripción
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
493740 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para NCP81075DR2G
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
NCP81075DR2G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
HIGH PERFORMANCE DUAL MOS
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Configuración dirigida :
High-Side or Low-Side
Tipo de canal :
Independent
Número de conductores :
2
Tipo de puerta :
N-Channel MOSFET
Suministro de voltaje :
8.5V ~ 20V
Voltaje lógico - VIL, VIH :
0.8V, 2.7V
Corriente - Salida de Pico (Fuente, Fregadero) :
4A, 4A
Tipo de entrada :
Non-Inverting
Voltaje lateral alto - Máx (Bootstrap) :
200V
Tiempo de subida / caída (tipo) :
8ns, 7ns
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 140°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-SOIC
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para NCP81075DR2G
Hojas de datos :
NCP81075DR2G.pdf
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