SIB900EDK-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
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Breve descripción
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2072445 Pieces
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Especificaciones para SIB900EDK-T1-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SIB900EDK-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Potencia - max : 3.1W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : PowerPAK® SC-75-6L Dual
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SC-75-6L Dual
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SIB900EDK-T1-GE3
Hojas de datos : SIB900EDK-T1-GE3.pdf
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