SI8802DB-T2-E1 - MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Número de pieza del fabricante

SI8802DB-T2-E1

Número interno de parte

AX-SI8802DB-T2-E1

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2927660 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SI8802DB-T2-E1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI8802DB-T2-E1

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 8V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : -

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 500mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 4-Microfoot

Paquete / Caja : 4-XFBGA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SI8802DB-T2-E1

Hojas de datos : SI8802DB-T2-E1.pdf

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