2SK3906(Q) - MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-2SK3906(Q)
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
8016 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para 2SK3906(Q)
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
2SK3906(Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
20A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
4250pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-3P(N)
Paquete / Caja :
TO-3P-3, SC-65-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para 2SK3906(Q)
Hojas de datos :
2SK3906(Q).pdf
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