TPN6R003NL,LQ - MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1372285 Pieces
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Especificaciones para TPN6R003NL,LQ
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TPN6R003NL,LQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción :
MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Serie :
U-MOSVIII-H
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
27A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
1400pF @ 15V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
700mW (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TPN6R003NL,LQ
Hojas de datos :
TPN6R003NL,LQ.pdf
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