S1FLJ-M-18 - DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-S1FLJ-M-18
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
11335930 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para S1FLJ-M-18
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : S1FLJ-M-18
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.1V @ 1A
Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 1.8µs
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 600V
Capacitancia a Vr, F : 4pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : DO-219AB
Paquete del dispositivo del proveedor : DO-219AB (SMF)
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para S1FLJ-M-18
Hojas de datos : S1FLJ-M-18.pdf
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