TSM80N1R2CI C0G - MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
228090 Pieces
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Especificaciones para TSM80N1R2CI C0G
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
TSM80N1R2CI C0G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción :
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
5.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
19.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
685pF @ 100V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
ITO-220AB
Paquete / Caja :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para TSM80N1R2CI C0G
Hojas de datos :
TSM80N1R2CI C0G.pdf
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