TSM80N1R2CI C0G - MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220

Número de pieza del fabricante

TSM80N1R2CI C0G

Número interno de parte

AX-TSM80N1R2CI C0G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

228090 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.23~~

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Especificaciones para TSM80N1R2CI C0G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TSM80N1R2CI C0G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 19.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 685pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : ITO-220AB

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para TSM80N1R2CI C0G

Hojas de datos : TSM80N1R2CI C0G.pdf

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