W949D6DBHX5E TR - IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
187820 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para W949D6DBHX5E TR
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
W949D6DBHX5E TR
Fabricante :
Winbond Electronics
Descripción :
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
DRAM
Tecnología :
SDRAM - Mobile LPDDR
Tamaño de la memoria :
512Mb (32M x 16)
Frecuencia de reloj :
200MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
15ns
Tiempo de acceso :
5ns
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento :
-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
60-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
60-VFBGA (8x9)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para W949D6DBHX5E TR
Hojas de datos :
W949D6DBHX5E TR.pdf
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