NTD4809N-1G - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

Número de pieza del fabricante

NTD4809N-1G

Número interno de parte

AX-NTD4809N-1G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

4928 Pieces

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Especificaciones para NTD4809N-1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NTD4809N-1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9.6A (Ta), 58A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1456pF @ 12V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.4W (Ta), 52W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I-PAK

Paquete / Caja : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para NTD4809N-1G

Hojas de datos : NTD4809N-1G.pdf

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