VS-10ETF12S-M3 - DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
475295 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para VS-10ETF12S-M3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
VS-10ETF12S-M3
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción :
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
1200V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
10A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.33V @ 10A
Velocidad :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
310ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacitancia a Vr, F :
-
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor :
D2PAK
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-40°C ~ 150°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para VS-10ETF12S-M3
Hojas de datos :
VS-10ETF12S-M3.pdf
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