IXTN550N055T2 - MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
23560 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IXTN550N055T2
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IXTN550N055T2
Fabricante :
IXYS
Descripción :
MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
Serie :
GigaMOS™, TrenchT2™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
550A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
595nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
40000pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
940W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
SOT-227B
Paquete / Caja :
SOT-227-4, miniBLOC
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IXTN550N055T2
Hojas de datos :
IXTN550N055T2.pdf
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