FDMS8050ET30 - MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN

Número de pieza del fabricante

FDMS8050ET30

Número interno de parte

AX-FDMS8050ET30

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

271500 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FDMS8050ET30

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDMS8050ET30

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 55A (Ta), 423A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.65 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 750µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 285nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 22610pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.3W (Ta), 180W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Power56

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FDMS , FDMS80

Documentos para FDMS8050ET30

Hojas de datos : FDMS8050ET30.pdf

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