IRFH5301TRPBF - MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
923480 Pieces
Precio de referencia
USD 0.30381
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Especificaciones para IRFH5301TRPBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IRFH5301TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 35A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.85 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5114pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PQFN (5x6) Single Die
Paquete / Caja : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : IRFH5301TRPBF.pdf

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