SSM5H12TU(TE85L,F) - MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

Número de pieza del fabricante

SSM5H12TU(TE85L,F)

Número interno de parte

AX-SSM5H12TU(TE85L,F)

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

9528 Pieces

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Especificaciones para SSM5H12TU(TE85L,F)

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SSM5H12TU(TE85L,F)

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

Serie : U-MOSIII

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.9A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 133 mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.9nC @ 4V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 123pF @ 15V

Característica FET : Schottky Diode (Isolated)

Disipación de potencia (max) : 500mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : UFV

Paquete / Caja : 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SSM5H1 , SSM5H12TU

Documentos para SSM5H12TU(TE85L,F)

Hojas de datos : SSM5H12TU(TE85L,F).pdf

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