IRFN214BTA_FP001 - MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92

Número de pieza del fabricante

IRFN214BTA_FP001

Número interno de parte

AX-IRFN214BTA_FP001

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

7824 Pieces

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Especificaciones para IRFN214BTA_FP001

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFN214BTA_FP001

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 250V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 600mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 275pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.8W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-92-3

Paquete / Caja : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRFN2 , IRFN214B

Documentos para IRFN214BTA_FP001

Hojas de datos : IRFN214BTA_FP001.pdf

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