VWM200-01P - MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-VWM200-01P
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
26733 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para VWM200-01P
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
VWM200-01P
Fabricante :
IXYS
Descripción :
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
210A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
430nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
-
Potencia - max :
-
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete / Caja :
V2-PAK
Paquete del dispositivo del proveedor :
V2-PAK
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para VWM200-01P
Hojas de datos :
VWM200-01P.pdf
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