SIRB40DP-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
704010 Pieces
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Especificaciones para SIRB40DP-T1-GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SIRB40DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Característica FET :
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
4290pF @ 20V
Potencia - max :
46.2W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor :
PowerPAK® SO-8 Dual
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SIRB40DP-T1-GE3
Hojas de datos :
SIRB40DP-T1-GE3.pdf
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