RS1E350BNTB - MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Número de pieza del fabricante

RS1E350BNTB

Número interno de parte

AX-RS1E350BNTB

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

685980 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para RS1E350BNTB

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RS1E350BNTB

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 35A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 185nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7900pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 35W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-HSOP

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para RS1E350BNTB

Hojas de datos : RS1E350BNTB.pdf

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