RDN100N20FU6 - MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Número de pieza del fabricante

RDN100N20FU6

Número interno de parte

AX-RDN100N20FU6

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

8072 Pieces

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Especificaciones para RDN100N20FU6

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RDN100N20FU6

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 543pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 35W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220FN

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : RDN1 , RDN100

Documentos para RDN100N20FU6

Hojas de datos : RDN100N20FU6.pdf

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