STB18N60DM2 - MOSFET N-CH 600V 12A

Número de pieza del fabricante

STB18N60DM2

Número interno de parte

AX-STB18N60DM2

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 12A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

314480 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.892146~~

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Especificaciones para STB18N60DM2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STB18N60DM2

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N-CH 600V 12A

Serie : MDmesh™ DM2

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 295 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 800pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 90W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D2PAK

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : STB , STB18

Documentos para STB18N60DM2

Hojas de datos : STB18N60DM2.pdf

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