BUZ32H3045AATMA1 - MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
9040 Pieces
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Especificaciones para BUZ32H3045AATMA1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
BUZ32H3045AATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
Serie :
SIPMOS®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
9.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
530pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
PG-TO263-3
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para BUZ32H3045AATMA1
Hojas de datos :
BUZ32H3045AATMA1.pdf
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