BSS127H6327XTSA2 - MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
4104330 Pieces
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Especificaciones para BSS127H6327XTSA2
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
BSS127H6327XTSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
Serie :
SIPMOS®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
21mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 8µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
28pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
SOT-23-3
Paquete / Caja :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para BSS127H6327XTSA2
Hojas de datos :
BSS127H6327XTSA2.pdf
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