FCP650N80Z - MOSFET N-CH 800V 10A

Número de pieza del fabricante

FCP650N80Z

Número interno de parte

AX-FCP650N80Z

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 10A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

145215 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.932~~

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Especificaciones para FCP650N80Z

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FCP650N80Z

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 800V 10A

Serie : SuperFET® II

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 800µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1565pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 162W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FCP , FCP65

Documentos para FCP650N80Z

Hojas de datos : FCP650N80Z.pdf

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