STP110N10F7 - MOSFET N CH 100V 110A TO-220

Número de pieza del fabricante

STP110N10F7

Número interno de parte

AX-STP110N10F7

Fabricante

STMicroelectronics

Breve descripción

MOSFET N CH 100V 110A TO-220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

165810 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1.692~~

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Especificaciones para STP110N10F7

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : STP110N10F7

Fabricante : STMicroelectronics

Descripción : MOSFET N CH 100V 110A TO-220

Serie : DeepGATE™, STripFET™ VII

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 110A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5500pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 150W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para STP110N10F7

Hojas de datos : STP110N10F7.pdf

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GRM0335C1H5R9DD01D	Murata Electronics North America	CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201.
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