SI7940DP-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
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Breve descripción
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
27916 Pieces
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Especificaciones para SI7940DP-T1-E3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI7940DP-T1-E3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 7.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -
Potencia - max : 1.4W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SO-8 Dual
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI7940DP-T1-E3
Hojas de datos : SI7940DP-T1-E3.pdf
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