SI1051X-T1-GE3 - MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
6672 Pieces
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Especificaciones para SI1051X-T1-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI1051X-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : -
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 122 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.45nC @ 5V
Vgs (Max) : ±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 560pF @ 4V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 236mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SC-89-6
Paquete / Caja : SOT-563, SOT-666
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI1051X-T1-GE3
Hojas de datos : SI1051X-T1-GE3.pdf
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