CSD18536KTT - MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-CSD18536KTT
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
168685 Pieces
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Especificaciones para CSD18536KTT
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
CSD18536KTT
Fabricante :
Texas Instruments
Descripción :
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Serie :
NexFET™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
200A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
11430pF @ 30V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
DDPAK/TO-263-3
Paquete / Caja :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para CSD18536KTT
Hojas de datos :
CSD18536KTT.pdf
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