RQ6E085BNTCR - NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Número de pieza del fabricante

RQ6E085BNTCR

Número interno de parte

AX-RQ6E085BNTCR

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1402115 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para RQ6E085BNTCR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RQ6E085BNTCR

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.4 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 32.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1350pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-457

Paquete / Caja : SC-74, SOT-457

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : RQ6E , RQ6E08

Documentos para RQ6E085BNTCR

Hojas de datos : RQ6E085BNTCR.pdf

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