IPD082N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
8304 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IPD082N10N3GBTMA1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IPD082N10N3GBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 75µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
3980pF @ 50V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
PG-TO252-3
Paquete / Caja :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IPD082N10N3GBTMA1
Hojas de datos :
IPD082N10N3GBTMA1.pdf
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