BSP613PL6327HUSA1 - MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

Número de pieza del fabricante

BSP613PL6327HUSA1

Número interno de parte

AX-BSP613PL6327HUSA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

9233 Pieces

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Especificaciones para BSP613PL6327HUSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSP613PL6327HUSA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.9A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 875pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.8W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-SOT223-4

Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BSP61 , BSP613PL

Documentos para BSP613PL6327HUSA1

Hojas de datos : BSP613PL6327HUSA1.pdf

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