SIUD402ED-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
5365540 Pieces
Precio de referencia
USD 0.05229
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Especificaciones para SIUD402ED-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SIUD402ED-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 730 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.2nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 16pF @ 10V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 0806
Paquete / Caja : PowerPAK® 0806
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : SIUD402ED-T1-GE3.pdf

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