TPH4R10ANL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Número de pieza del fabricante

TPH4R10ANL,L1Q

Número interno de parte

AX-TPH4R10ANL,L1Q

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

688660 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.4074~~

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Especificaciones para TPH4R10ANL,L1Q

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPH4R10ANL,L1Q

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Serie : U-MOSVIII-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 92A (Ta), 70A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6.3nF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 67W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOP Advance (5x5)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TPH4 , TPH4R10

Documentos para TPH4R10ANL,L1Q

Hojas de datos : TPH4R10ANL,L1Q.pdf

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